МЕХАНИЗМ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДАЛЬНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Назначение.
Исследован механизм генерации электромагнитного излучения в полупроводниковых гетероструктурах Si/SiGe и Si. На основе полученных представлений о природе возникновения дальнего инфракрасного (ДИК) излучения предложен возможный вариант реализации лазерного источника излучения.
Области применения.
Биофизика, биохимия, фундаментальная медицина, твердотельная электроника, инфракрасная спектроскопия, оптоволоконная и лазерно-оптическая связь.
Описание.
По причине наличия внутреннего напряжения в гетероструктурах происходит расщепление как валентных подзон, так и уровней мелко акцепторной примеси. Приложение внешнего электрического поля позволяет создать инверсную заселенность, которая служит причиной возникновения лазерной генерации.
Стадия разработки.
Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты.
Ожидаемый результат.
Уменьшение габаритных размеров лазера, возможность получения активного элемента в промышленных условиях.
Владелец разработки.
Донбасская государственная машиностроительная академия.
84313, г. Краматорск, ул. Академическая, 72, ДГМА, кафедра физики.
Тел. (806264) 41-66-81.
Тулупенко В.Н., д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой физики.
Абрамов А.А., ст. научный сотрудник.
Белых В.Г., ст. научный сотрудник.
MECHANISM OF ELECTROMAGNETIC GENERATION OF FAR INFRARED RADIATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES
Designation.
The mechanism of electromagnetic generation of radiation is investigated in the semiconductor heterostructures Si/SiGe and Si. On the basis of the conceptions of the nature of the origin of far infrared radiation possible variant of realization of laser emission sourse is offered.
Application domains.
Biophysics, biochemistry, fundamental medicine, solid-state electronics, infrared spectroscopy, fiber-optic and laser-optical connection.
Description.
Because of the presence of internal tension in heterostructures splitting of both the valency subareas and the levels of acceptor impurity occur. Application of external electric field allows to create inverse population which serves as the reason of initiation of laser generation.
Development stage.
Experimental research and theoretical calculations are conducted.
Presumable result.
Diminishing of overall laser dimention, possibility of industrial active element obtaining.
Proprietor.
Donbass State Engineering Academy.
84313, Kramatorsk, Shkadinova street, 72, DSEA, department of physics.
Tel. (806264) 66-81.
Tulupenko V.N., doctor of physics and mathematics, professor, head of the physics department.
Abramov A.A., senior scientific associate.
Belykh V.G., senior scientific associate.