В ЛАБОРАТОРИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

      Лаборатория твердотельной квантовой электроники (ТКЭ) при кафедре физики ДГМА создана в 1987 году. С тех пор лаборатория добилась значительных успехов. Расширялись горизонты, увеличивался коллектив, повышалась квалификация сотрудников. Так, если изначально коллектив лаборатории занимался исключительно экспериментальными исследованиями, то сейчас существенное внимание уделяется теоретическим работам, к решению расчетных задач привлекаются самые современные численные методы. Для проведения экспериментов сконструированы и созданы новые оригинальные установки, разработаны уникальные методики.

      Работа лаборатории получила признание в Украине и за её пределами. Свидетельством является то, что на протяжении последних лет постоянно выигрываются конкурсы Фонда фундаментальных исследований Украины, были выиграны (совместно с исследователями из других стран) конкурсы НАТО и получены гранты HTECH.LG 960931 и CNS 970627. Результаты работы лаборатории публикуются в ведущих научных журналах Украины и за её пределами, неоднократно докладывались на международных конференциях. Руководитель лаборатории ТКЭ доцент кафедры физики Тулупенко Виктор Николаевич недавно защитил диссертацию и получил ученую степень доктора физико-математических наук.

      Коллектив лаборатории тесно сотрудничал и сотрудничает с научными коллективами таких организаций, как Институт физики Академии наук Украины (Киев), Санкт-Петербургский государственный технический университет (Санкт-Петербург), Институт микроструктур (Нижний Новгород), Институт физики полупроводников (Вильнюс, Литва) и т.д.

      Научные интересы коллектива сосредоточены в области физики полупроводников. Одной из наиболее актуальных задач современной физики полупроводников является создание недорогого, компактного, перестраиваемого по длине волны и удобного в использовании твердотельного лазера далекого инфракрасного (ДИК) диапазона. В ДИК диапазоне находятся вращательные и колебательные спектры множества различных молекул и молекулярных комплексов органических и неорганических веществ. Доступный для широкого круга потребителей лазер этого диапазона позволил бы исследовать и влиять на характеристики этих веществ, например, в химических реакциях.

      Газовые лазеры на парах циана, тяжёлой воды, спирта и других соединений полностью перекрывают этот диапазон. Однако существенными недостатками, препятствующим широкому распространению этих приборов, является невозможность широкой частотной перестройки и необходимость использования мощной оптической накачки и водяного охлаждения.

      Существующие полупроводниковые лазеры ДИК диапазона могут работать лишь при температуре дорогостоящего и сложного в обращении с ним жидкого гелия (T=4,2 K), что ограничивает область их применения только стенами специализированных научных лабораторий.

      Таким образом, исследования новых возможных механизмов генерации стимулированного излучения в полупроводниках, которые могут привести к созданию полупроводникового лазера ДИК диапазона, работающего при температуре жидкого азота (T=77K), являются весьма актуальными. Такие исследования на основе одноосно сжатого дырочного германия в настоящее время составляют основное содержание деятельности коллектива лаборатории ТКЭ.

В.Акимов